行业动态周报丨2026.9.27-2026.10.3

长鑫科技9月28日晚公告，拟使用超募资金合计180亿元投建两个项目：一是总投资241亿元的技术研发项目，建设周期30个月；二是由全资子公司投建的存储器晶圆后道测试基地二期，总投资108亿元，将建设一座为DRAM芯片提供测试及模组组装的测试工厂，建设周期37个月。两项目合计投资349亿元，公司称将补足后道测试产能、完善IDM运营模式。（来源：上海证券报·中国证券网，2026-09-28）

盛美上海9月30日晚公告，截至2026年9月29日，公司在手订单总金额为170.73亿元，较上年同期自愿披露口径增加88.20%。公司上半年实现营业收入37.18亿元、同比增长13.87%，归母净利润9.89亿元、同比增长42.14%，并维持全年营业收入82亿至88亿元的业绩预告。公司称，订单增长受益于半导体设备本土化提速与AI算力带动的全球扩产周期。（来源：证券时报，2026-10-01）

9月28日，东方晶源纳米级电子束量检测装备累计出机突破100台。公司已形成CD-SEM、EBI、DR-SEM、HV-SEM四款系列化产品，2026年5至6月取得客户批量订单，合计不含税金额1.53亿元。同期公司正冲刺科创板，其计算光刻软件已在14nm及以上逻辑工艺、1x nm及以上存储工艺节点实现量产应用。（来源：央广网，2026-09-30）

10月1日起，日本JSR、东京应化、信越化学正式对全球客户执行新定价：全品类新订单基础涨幅约15%，高端ArF系列长协报价上调16%—22%。国内晶圆厂反馈实际影响可控，更受关注的是国产替代窗口——国产光刻胶基础验证周期已由1至2年缩短至6至12个月。（来源：中国证券报等，2026-09-27、2026-10-01。注：调价于9月中旬宣布，10月1日起正式生效）

存储价格上涨正推动全球原厂扩产。三星升级西安厂NAND产线并提高平泽先进DRAM与HBM产能；SK海力士推进清州M15X，并重启大连二厂扩产，最快11月设备进场、2027年上半年量产；美光爱达荷州新厂预计2027年中产出首批DRAM晶圆。国内长鑫存储产能预计2026年底提升至约35万片/月，长江存储武汉三厂计划2026年底启动。（来源：工商时报，2026-09-28）

兆易创新9月28日公告，因DRAM产品代工价格随市场行情上涨，拟将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度由57.11亿元上调至78.54亿元，增加21.43亿元；同时预计2027年1至4月额度为44.11亿元，仅四个月即相当于其2025年全年营收的近一半。2026年1至8月，双方实际交易金额为35.96亿元。（来源：中国基金报，2026-09-29）

粤芯半导体9月27日晚披露，本次创业板IPO网上有效申购户数1443.54万户、有效申购股数4233.83亿股，回拨机制启动后网上中签率约0.042%，有效申购倍数约2360倍。本次发行价格为12.01元/股，发行5.13亿股，拟募资75亿元，30家战略投资者中13家为A股上市公司。注：本期报道其申购结果，上期已报道申购启动。（来源：南方+，2026-09-28）